Дистрибуция электронных компонентов
NE3508M04-T2-A
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4TSMM
Номер компонента:
NE3508M04-T2-A
Альтернативная модель:
NE3508M04-A,SKY65050-372LF
Производитель:
CEL (California Eastern Laboratories)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > RF FETs, MOSFETs >
Описание:
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4TSMM
РОХС:
NO
NE3508M04-T2-A Спецификация
Напряжение - номинальное:
4 V
Напряжение - Тест:
2 V
Прирост:
14dB
Текущий — Тест:
10 mA
Частота:
2GHz
Текущий рейтинг (А):
120mA
Технологии:
GaAs HJ-FET
Пакет/кейс:
SOT-343F
Коэффициент шума:
0.45dB
Выходная мощность:
18dBm
Пакет устройств поставщика:
F4TSMM, M04
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.