NE3512S02-T1C-A
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Номер компонента：
NE3512S02-T1C-A
Альтернативная модель：
NE3512S02-A,CE3512K2-C1
Производитель：
CEL (California Eastern Laboratories)
Категория：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
RF FETs, MOSFETs >
Описание：
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
РОХС：
NO
NE3512S02-T1C-A Спецификация
Напряжение - номинальное：
4 V
Пакет/кейс：
4-SMD, Flat Leads
Частота：
12GHz
Напряжение - Тест：
2 V
Текущий — Тест：
10 mA
Технологии：
GaAs HJ-FET
Прирост：
13.5dB
Коэффициент шума：
0.35dB
Текущий рейтинг (А)：
70mA
Пакет устройств поставщика：
S02
Продукты, которые могут вас заинтересовать
VMMK-1225-BLKG
RF MOSFET E-PHEMT 2V 0402
Больше заказов
BF999E6327HTSA1
RF MOSFET 10V SOT23
Больше заказов
CGH40006S
RF MOSFET HEMT 28V 6QFN
$38.85
Больше заказов
CGH40035F
RF MOSFET HEMT 28V 440193
$217.42
Больше заказов
CGH40120F
RF MOSFET HEMT 28V 440193
Больше заказов
MRF177
RF MOSFET 28V 744A-01
Больше заказов
ARF460BG
RF MOSFET 125V TO247CS
Больше заказов
ARF461BG
RF MOSFET 50V TO247
$65.14
Больше заказов
2N3819_D27Z
RF MOSFET JFET 25V TO92-3
Больше заказов
2N3819_D74Z
RF MOSFET JFET 25V TO92-3
Больше заказов
2N3819
RF MOSFET JFET 25V TO92
Больше заказов
2N5245_J35Z
RF MOSFET JFET 30V TO92-3
Больше заказов
2N5245
RF MOSFET JFET 30V TO92-3
Больше заказов
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя：Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки：1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Copyright@2025 All Rights Reserved
