Дистрибуция электронных компонентов
FII50-12E
IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5
Номер компонента:
FII50-12E
Альтернативная модель:
Производитель:
Littelfuse / IXYS RF
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > IGBTs > IGBT Arrays >
Описание:
IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5
РОХС:
NO
FII50-12E Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Мощность - Макс.:
200 W
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.):
1200 V
Ток-Коллектор (Ic) (Макс):
50 A
Вход:
Standard
НТЦ-термистор:
No
Пакет/кейс:
i4-Pac™-5
Пакет устройств поставщика:
ISOPLUS i4-PAC™
Тип БТИЗ:
NPT
Входная емкость (Cies) при Vce:
2 nF @ 25 V
Конфигурация:
Half Bridge
Ток-отсечка коллектора (макс.):
400 µA
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:
2.6V @ 15V, 30A
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.