Дистрибуция электронных компонентов
IXDN75N120
IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
Номер компонента:
IXDN75N120
Альтернативная модель:
APT45GP120JDQ2,IXGN320N60A3,VS-GT180DA120U,IXYN140N120A4,IXYN120N120C3,VS-GT100DA120UF,FZ400R12KE4HOSA1,APT150GT120JR,STGE200NB60S,VS-GT80DA120U,VS-GT90DA120U,IXGN200N60B3,VS-GT55NA120UX,VS-GT55LA120UX,VS-GT90SA120U
Производитель:
Littelfuse / IXYS RF
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > IGBTs > IGBT Modules >
Описание:
IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
РОХС:
YES
IXDN75N120 Спецификация
Тип монтажа:
Chassis Mount
Рабочая Температура:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.):
1200 V
Конфигурация:
Single
Вход:
Standard
Пакет/кейс:
SOT-227-4, miniBLOC
Пакет устройств поставщика:
SOT-227B
НТЦ-термистор:
No
Тип БТИЗ:
NPT
Ток-отсечка коллектора (макс.):
4 mA
Ток-Коллектор (Ic) (Макс):
150 A
Входная емкость (Cies) при Vce:
5.5 nF @ 25 V
Мощность - Макс.:
660 W
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:
2.7V @ 15V, 75A
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:2280
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1
41.38
41.38
10
36.77
367.7
100
32.15
3215
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.