Дистрибуция электронных компонентов
FGA15N120ANTDTU-F109
IGBT 1200V 30A 186W TO3P
Номер компонента:
FGA15N120ANTDTU-F109
Альтернативная модель:
FGA15N120ANTDTU,NCD57000DWR2G,NCD5700DR2G
Производитель:
Sanyo Semiconductor/onsemi
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > IGBTs > Single IGBTs >
Описание:
IGBT 1200V 30A 186W TO3P
РОХС:
YES
FGA15N120ANTDTU-F109 Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.):
1200 V
Пакет устройств поставщика:
TO-3P
Пакет/кейс:
TO-3P-3, SC-65-3
Тип ввода:
Standard
Ток-Коллектор (Ic) (Макс):
30 A
Условия испытания:
600V, 15A, 10Ohm, 15V
Ток-коллекторный импульсный (Icm):
45 A
Заряд от ворот:
120 nC
Тип БТИЗ:
NPT and Trench
Время обратного восстановления (trr):
330 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:
2.4V @ 15V, 15A
Td (вкл/выкл) при 25°C:
15ns/160ns
Мощность - Макс.:
186 W
Переключение энергии:
3mJ (on), 600µJ (off)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.