Дистрибуция электронных компонентов
SI7994DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO8
Номер компонента:
SI7994DP-T1-GE3
Альтернативная модель:
SI7157DP-T1-GE3,SUM70060E-GE3,SQT-120-01-F-Q,SIR871DP-T1-GE3,SQJ431AEP-T1_GE3,SQT-110-01-F-Q,SISS71DN-T1-GE3,74279266,SIS862DN-T1-GE3,HP8K24TB,LTC4365ITS8#TRMPBF,SI7938DP-T1-GE3,SI7252DP-T1-GE3,SI7997DP-T1-GE3,SI7272DP-T1-GE3
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO8
РОХС:
YES
SI7994DP-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
30V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
3V @ 250µA
Конфигурация:
2 N-Channel (Dual)
Пакет/кейс:
PowerPAK® SO-8 Dual
Пакет устройств поставщика:
PowerPAK® SO-8 Dual
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
60A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
5.6mOhm @ 20A, 10V
Мощность - Макс.:
46W
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
3500pF @ 15V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
80nC @ 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:3813
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
1.9
5700
6000
1.83
10980
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.