SI1024X-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 485MA SC89
Номер компонента：
SI1024X-T1-GE3
Альтернативная модель：
DLW21SN900SQ2L,35F0121-0SR-10,TPS51120RHBR,RCLAMP0504S.TCT,M41T0M6F,NUP4114UCLW1T2G,MM70-314-310B1-2-R300,FT231XS-R,NCP114ASN180T1G,NTZD3154NT1G,SS3P3-M3/84A,APA1606CGCK,DMP2022LSS-13,PDSE1-S12-S3-S,USBLC6-2SC6
Производитель：
Vishay / Siliconix
Категория：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Описание：
MOSFET 2N-CH 20V 485MA SC89
РОХС：
YES
SI1024X-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа：
Surface Mount
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Особенность полевого транзистора：
Logic Level Gate
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Конфигурация：
2 N-Channel (Dual)
Пакет/кейс：
SOT-563, SOT-666
Мощность - Макс.：
250mW
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
20V
Vgs(th) (Макс) @ Id：
900mV @ 250µA
Пакет устройств поставщика：
SC-89 (SOT-563F)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
0.75nC @ 4.5V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
700mOhm @ 600mA, 4.5V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
485mA
Продукты, которые могут вас заинтересовать
ALD1101APAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
$9.9
Больше заказов
ALD1101ASAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
$10.4
Больше заказов
ALD1101BPAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
$8.95
Больше заказов
ALD1101BSAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
$6.71
Больше заказов
ALD1101PAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
$9.08
Больше заказов
ALD1101SAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
$6.8
Больше заказов
ALD1102APAL
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
$9.9
Больше заказов
ALD1102ASAL
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
$10.4
Больше заказов
ALD1102BPAL
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
$8.95
Больше заказов
ALD1102BSAL
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
$6.71
Больше заказов
ALD1102PAL
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
$9.08
Больше заказов
ALD1102SAL
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
$6.82
Больше заказов
ALD1105SBL
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
$6.57
Больше заказов
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя：Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки：101708
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.2
600
6000
0.19
1140
9000
0.18
1620
30000
0.17
5100
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Copyright@2025 All Rights Reserved
