Дистрибуция электронных компонентов
SI1029X-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 60V 0.305A SC89
Номер компонента:
SI1029X-T1-GE3
Альтернативная модель:
DMG1029SV-7,MMBFJ113,SI2319DS-T1-E3,SI1016X-T1-GE3,SI1026X-T1-GE3,2N7002K-T1-E3,TPS62913RPUR,D5V0H1B2LP-7B,2N3904TF,NTMFS0D8N03CT1G,TPS55289RYQR,DLW5BTM101SQ2L,NTMFS0D6N03CT1G,LT3091EDE#TRPBF,NDC7001C
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
Описание:
MOSFET N/P-CH 60V 0.305A SC89
РОХС:
YES
SI1029X-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация:
N and P-Channel
Особенность полевого транзистора:
Logic Level Gate
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.5V @ 250µA
Пакет/кейс:
SOT-563, SOT-666
Мощность - Макс.:
250mW
Напряжение стока к источнику (Vdss):
60V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
1.4Ohm @ 500mA, 10V
Пакет устройств поставщика:
SC-89 (SOT-563F)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
305mA, 190mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
750nC @ 4.5V, 1700nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
30pF @ 25V, 23pF @ 25V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:15991
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.18
540
6000
0.18
1080
9000
0.15
1350
30000
0.15
4500
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.