Дистрибуция электронных компонентов
GT10J312(Q)
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Номер компонента:
GT10J312(Q)
Альтернативная модель:
Производитель:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > IGBTs > Single IGBTs >
Описание:
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
РОХС:
NO
GT10J312(Q) Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Мощность - Макс.:
60 W
Рабочая Температура:
150°C (TJ)
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.):
600 V
Тип ввода:
Standard
Время обратного восстановления (trr):
200 ns
Пакет/кейс:
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Ток-Коллектор (Ic) (Макс):
10 A
Ток-коллекторный импульсный (Icm):
20 A
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:
2.7V @ 15V, 10A
Td (вкл/выкл) при 25°C:
400ns/400ns
Условия испытания:
300V, 10A, 100Ohm, 15V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.