GT30J121(Q)
IGBT 600V 30A 170W TO3PN
Номер компонента：
GT30J121(Q)
Альтернативная модель：
Производитель：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
Описание：
IGBT 600V 30A 170W TO3PN
РОХС：
YES
：
GT30J121(Q) Спецификация
Тип монтажа：
Through Hole
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)：
600 V
Пакет/кейс：
TO-3P-3, SC-65-3
Тип ввода：
Standard
Ток-коллекторный импульсный (Icm)：
60 A
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)：
30 A
Пакет устройств поставщика：
TO-3P(N)
Мощность - Макс.：
170 W
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：
2.45V @ 15V, 30A
Td (вкл/выкл) при 25°C：
90ns/300ns
Переключение энергии：
1mJ (on), 800µJ (off)
Условия испытания：
300V, 30A, 24Ohm, 15V
Продукты, которые могут вас заинтересовать
IRGS4715DPBF
IGBT 650V D2-PAK
Больше заказов
IRGP4790PBF
IGBT 650V TO-247
Больше заказов
IRGP4790-EPBF
IGBT 650V TO-247
Больше заказов
IRGP4790DPBF
IGBT 650V TO-247
Больше заказов
IRGP4790D-EPBF
IGBT 650V 140A TO247AD
Больше заказов
IRGP4760PBF
IGBT 650V TO-247
Больше заказов
IRGP4760-EPBF
IGBT 650V TO-247
Больше заказов
IRGP4760DPBF
IGBT 650V TO-247
Больше заказов
IRGP4760D-EPBF
IGBT 650V TO-247
Больше заказов
IRGP4750DPBF
IGBT 650V TO-247
Больше заказов
IRGB4715DPBF
IGBT 650V TO-220AB
Больше заказов
FGA6560WDF
IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN
Больше заказов
FGPF4565
IGBT TRENCH/FS 650V TO220F
Больше заказов
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя：Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки：1657
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1
3.6
3.6
10
3.01
30.1
25
2.85
71.25
100
2.44
244
300
2.3
690
500
2.17
1085
1000
1.86
1860
2400
1.75
4200
4900
1.68
8232
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Copyright@2025 All Rights Reserved
