Дистрибуция электронных компонентов
GT30J121(Q)
IGBT 600V 30A 170W TO3PN
Номер компонента:
GT30J121(Q)
Альтернативная модель:
Производитель:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > IGBTs > Single IGBTs >
Описание:
IGBT 600V 30A 170W TO3PN
РОХС:
YES
GT30J121(Q) Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.):
600 V
Пакет/кейс:
TO-3P-3, SC-65-3
Тип ввода:
Standard
Ток-коллекторный импульсный (Icm):
60 A
Ток-Коллектор (Ic) (Макс):
30 A
Пакет устройств поставщика:
TO-3P(N)
Мощность - Макс.:
170 W
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:
2.45V @ 15V, 30A
Td (вкл/выкл) при 25°C:
90ns/300ns
Переключение энергии:
1mJ (on), 800µJ (off)
Условия испытания:
300V, 30A, 24Ohm, 15V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1657
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1
3.6
3.6
10
3.01
30.1
25
2.85
71.25
100
2.44
244
300
2.3
690
500
2.17
1085
1000
1.86
1860
2400
1.75
4200
4900
1.68
8232
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.