Дистрибуция электронных компонентов
GT50J121(Q)
IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
Номер компонента:
GT50J121(Q)
Альтернативная модель:
Производитель:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > IGBTs > Single IGBTs >
Описание:
IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
РОХС:
NO
GT50J121(Q) Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Рабочая Температура:
150°C (TJ)
Ток-Коллектор (Ic) (Макс):
50 A
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.):
600 V
Тип ввода:
Standard
Ток-коллекторный импульсный (Icm):
100 A
Мощность - Макс.:
240 W
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:
2.45V @ 15V, 50A
Пакет/кейс:
TO-3PL
Переключение энергии:
1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
Td (вкл/выкл) при 25°C:
90ns/300ns
Условия испытания:
300V, 50A, 13Ohm, 15V
Пакет устройств поставщика:
TO-3P(LH)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.