Дистрибуция электронных компонентов
FGA30N120FTDTU
IGBT 1200V 60A 339W TO3P
Номер компонента:
FGA30N120FTDTU
Альтернативная модель:
BCM89811B1AWMLG,DLA60I1200HA,FQB5N90TM,IXYR50N120C3D1,PDM1-S15-D15-S,NCD57000DWR2G,NCD5700DR2G
Производитель:
Sanyo Semiconductor/onsemi
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > IGBTs > Single IGBTs >
Описание:
IGBT 1200V 60A 339W TO3P
РОХС:
YES
FGA30N120FTDTU Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.):
1200 V
Тип БТИЗ:
Trench Field Stop
Пакет/кейс:
TO-3P-3, SC-65-3
Тип ввода:
Standard
Ток-Коллектор (Ic) (Макс):
60 A
Ток-коллекторный импульсный (Icm):
90 A
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:
2V @ 15V, 30A
Пакет устройств поставщика:
TO-3PN
Заряд от ворот:
208 nC
Мощность - Макс.:
339 W
Время обратного восстановления (trr):
730 ns
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.