Дистрибуция электронных компонентов
EPC2010
GANFET N-CH 200V 12A DIE
Номер компонента:
EPC2010
Альтернативная модель:
EPC2010C,EPC2012C,EPC2215,EPC2001C
Производитель:
EPC
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
GANFET N-CH 200V 12A DIE
РОХС:
YES
EPC2010 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-40°C ~ 125°C (TJ)
Пакет/кейс:
Die
Пакет устройств поставщика:
Die
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
5V
Технологии:
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
200 V
ВГС (Макс):
+6V, -4V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
12A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.5V @ 3mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
7.5 nC @ 5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
540 pF @ 100 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.