Дистрибуция электронных компонентов
SI7997DP-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8
Номер компонента:
SI7997DP-T1-GE3
Альтернативная модель:
AONR21321,BAT54XV2T1G,NX3020NAKW,115,MPZ2012S102AT000,MX25L8006EM1I-12G,ESDA25P35-1U1M,9774050151R,APHHS1005SURCK,RT7276GQW,TPS3700DSER,XPH3R114MC,L1XHQ,PSMN075-100MSEX,TPS65987DDHRSHR,FT4232H-56Q-TRAY,SI7613DN-T1-GE3
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
Описание:
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8
РОХС:
YES
SI7997DP-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
30V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.2V @ 250µA
Конфигурация:
2 P-Channel (Dual)
Пакет/кейс:
PowerPAK® SO-8 Dual
Пакет устройств поставщика:
PowerPAK® SO-8 Dual
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
5.5mOhm @ 20A, 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
60A
Мощность - Макс.:
46W
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
6200pF @ 15V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
160nC @ 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:16967
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
1.05
3150
6000
1.01
6060
9000
0.98
8820
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.