Дистрибуция электронных компонентов
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Номер компонента:
2N7002DWH6327XTSA1
Альтернативная модель:
AUIR2085STR,TLE9180D31QKXUMA1,AUIRB24427STR,XC6210B302MR-G,BC856BDW1T1G,CSTNE16M0VH3C000R0,2N7002DW-7-F,TPS54561QDPRRQ1,2N7002WT1G,ESD9X5.0ST5G,IRFL024ZTRPBF,MAX14591ETA+T,0533980571,AO3403,PPPC042LFBN-RC,FOD814SD,B3P-VH,2N7002
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
РОХС:
YES
2N7002DWH6327XTSA1 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Особенность полевого транзистора:
Logic Level Gate
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.5V @ 250µA
Мощность - Макс.:
500mW
Конфигурация:
2 N-Channel (Dual)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
60V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
300mA
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
3Ohm @ 500mA, 10V
Пакет/кейс:
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Пакет устройств поставщика:
PG-SOT363-PO
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
0.6nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
20pF @ 25V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:96340
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.08
240
6000
0.08
480
9000
0.07
630
30000
0.07
2100
75000
0.06
4500
150000
0.06
9000
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.