Дистрибуция электронных компонентов
APTGFQ25H120T2G
IGBT MODULE 1200V 40A 227W SP2
Номер компонента:
APTGFQ25H120T2G
Альтернативная модель:
Производитель:
Microsemi Corporation
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > IGBTs > IGBT Modules >
Описание:
IGBT MODULE 1200V 40A 227W SP2
РОХС:
YES
APTGFQ25H120T2G Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Конфигурация:
Full Bridge
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.):
1200 V
Вход:
Standard
НТЦ-термистор:
Yes
Ток-Коллектор (Ic) (Макс):
40 A
Ток-отсечка коллектора (макс.):
250 µA
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 25A
Пакет устройств поставщика:
SP2
Мощность - Макс.:
227 W
Тип БТИЗ:
NPT and Fieldstop
Входная емкость (Cies) при Vce:
2.02 nF @ 25 V
Пакет/кейс:
SP2
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.