Дистрибуция электронных компонентов
APT50GT120B2RDLG
IGBT NPT 1200V 106A
Номер компонента:
APT50GT120B2RDLG
Альтернативная модель:
Производитель:
Microsemi Corporation
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > IGBTs > Single IGBTs >
Описание:
IGBT NPT 1200V 106A
РОХС:
YES
APT50GT120B2RDLG Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.):
1200 V
Тип ввода:
Standard
Ток-коллекторный импульсный (Icm):
150 A
Тип БТИЗ:
NPT
Пакет/кейс:
TO-247-3 Variant
Заряд от ворот:
240 nC
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:
3.7V @ 15V, 50A
Условия испытания:
800V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Мощность - Макс.:
694 W
Ток-Коллектор (Ic) (Макс):
106 A
Переключение энергии:
3585µJ (on), 1910µJ (off)
Td (вкл/выкл) при 25°C:
23ns/215ns
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1608
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.