Дистрибуция электронных компонентов
EPC2016
GANFET N-CH 100V 11A DIE
Номер компонента:
EPC2016
Альтернативная модель:
EPC2016C,EPC2212,SI1967DH-T1-E3
Производитель:
EPC
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
GANFET N-CH 100V 11A DIE
РОХС:
YES
EPC2016 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-40°C ~ 125°C (TJ)
Пакет/кейс:
Die
Пакет устройств поставщика:
Die
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Напряжение стока к источнику (Vdss):
100 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
5V
Технологии:
GaNFET (Gallium Nitride)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
11A (Ta)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
5.2 nC @ 5 V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.5V @ 3mA
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
520 pF @ 50 V
ВГС (Макс):
+6V, -5V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
16mOhm @ 11A, 5V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.