Дистрибуция электронных компонентов
2N7635-GA
TRANS SJT 650V 4A TO257
Номер компонента:
2N7635-GA
Альтернативная модель:
Производитель:
GeneSiC Semiconductor
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
TRANS SJT 650V 4A TO257
РОХС:
NO
2N7635-GA Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Напряжение стока к источнику (Vdss):
650 V
Технологии:
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Пакет устройств поставщика:
TO-257
Пакет/кейс:
TO-257-3
Рассеиваемая мощность (макс.):
47W (Tc)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
4A (Tc) (165°C)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
415mOhm @ 4A
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
324 pF @ 35 V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 225°C (TJ)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.