BSM180D12P2C101
SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE
Номер компонента：
BSM180D12P2C101
Альтернативная модель：
BSM180D12P3C007,BSM120C12P2C201,BSM180C12P3C202,BSM180D12P2E002,BSM250D17P2E004,CAS350M12BM3,BSM120D12P2C005,CAB425M12XM3,BSM600D12P3G001,BSM300D12P2E001,BSM080D12P2C008,TAS5431QPWPRQ1,BSM300C12P3E201,WAS530M12BM3,CAB008A12GM3T
Производитель：
ROHM Semiconductor
Категория：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Описание：
SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE
РОХС：
YES
：
BSM180D12P2C101 Спецификация
Пакет/кейс：
Module
Рабочая Температура：
-40°C ~ 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика：
Module
Технологии：
Silicon Carbide (SiC)
Конфигурация：
2 N-Channel (Half Bridge)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
204A (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id：
4V @ 35.2mA
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
23000pF @ 10V
Мощность - Макс.：
1130W
Продукты, которые могут вас заинтересовать
ALD1101APAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
$9.9
Больше заказов
ALD1101ASAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
$10.4
Больше заказов
ALD1101BPAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
$8.95
Больше заказов
ALD1101BSAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
$6.71
Больше заказов
ALD1101PAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
$9.08
Больше заказов
ALD1101SAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
$6.8
Больше заказов
ALD1102APAL
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
$9.9
Больше заказов
ALD1102ASAL
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
$10.4
Больше заказов
ALD1102BPAL
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
$8.95
Больше заказов
ALD1102BSAL
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
$6.71
Больше заказов
ALD1102PAL
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
$9.08
Больше заказов
ALD1102SAL
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
$6.82
Больше заказов
ALD1105SBL
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
$6.57
Больше заказов
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя：Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки：1601
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1
519.38
519.38
12
499.85
5998.2
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Copyright@2025 All Rights Reserved
