NE3513M04-A
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04
Номер компонента：
NE3513M04-A
Альтернативная модель：
NE3513M04-T2-A
Производитель：
CEL (California Eastern Laboratories)
Категория：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
RF FETs, MOSFETs >
Описание：
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04
РОХС：
NO
：
NE3513M04-A Спецификация
Напряжение - номинальное：
4 V
Конфигурация：
N-Channel
Частота：
12GHz
Прирост：
13dB
Напряжение - Тест：
2 V
Текущий — Тест：
10 mA
Выходная мощность：
125mW
Технологии：
GaAs HJ-FET
Пакет/кейс：
SOT-343F
Текущий рейтинг (А)：
60mA
Пакет устройств поставщика：
M04
Коэффициент шума：
0.65dB
Продукты, которые могут вас заинтересовать
MRFE6VP6300GSR5
RF MOSFET LDMOS 50V NI780
$141.22
Больше заказов
MMRF2005NR1
RF MOSFET LDMOS 28V TO270-16
Больше заказов
MMRF1318NR1
RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Больше заказов
MMRF1316NR1
RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
$73.35
Больше заказов
MMRF1315NR1
RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2
Больше заказов
MMRF1310HSR5
RF MOSFET LDMOS 50V NI780
$101.11
Больше заказов
MMRF1310HR5
RF MOSFET LDMOS 50V NI780
$117.56
Больше заказов
MMRF1308HSR5
RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Больше заказов
MMRF1308HR5
RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
$238.08
Больше заказов
MMRF1019NR4
RF MOSFET LDMOS 50V PLD-1.5
Больше заказов
MMRF1017NR3
RF MOSFET LDMOS 28V OM780-2
Больше заказов
MMRF1016HR5
RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Больше заказов
MMRF1015NR1
RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2
Больше заказов
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя：Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки：1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Copyright@2025 All Rights Reserved
