GA10JT12-263
TRANS SJT 1200V 25A
Номер компонента：
GA10JT12-263
Альтернативная модель：
GA10SICP12-263,ACS758LCB-050U-PFF-T
Производитель：
GeneSiC Semiconductor
Категория：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Описание：
TRANS SJT 1200V 25A
РОХС：
YES
：
GA10JT12-263 Спецификация
Тип монтажа：
Surface Mount
Рабочая Температура：
175°C (TJ)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
25A (Tc)
Технологии：
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
1200 V
Рассеиваемая мощность (макс.)：
170W (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
1403 pF @ 800 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
120mOhm @ 10A
Продукты, которые могут вас заинтересовать
AON7534
MOSFET N-CH 30V 20A/30A 8DFN
$0.22
Больше заказов
EPC8004
GANFET N-CH 40V 4A DIE
$1.71
Больше заказов
NP36P06SLG-E1-AY
MOSFET P-CH 60V 36A TO252
$0.84
Больше заказов
BSC027N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
$0.66
Больше заказов
BSC031N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8-1
$1.11
Больше заказов
BSC032NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSON
$0.41
Больше заказов
BSC036NE7NS3GATMA1
MOSFET N-CH 75V 100A TDSON
$1.65
Больше заказов
BSC050NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
$0.4
Больше заказов
BSC100N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/44A TDSON
$0.3
Больше заказов
BSP372NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
$0.41
Больше заказов
IPA045N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 64A TO220-FP
$3.25
Больше заказов
IPA50R250CPXKSA1
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-FP
Больше заказов
IPB180N04S4H0ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
$2.39
Больше заказов
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя：Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки：1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Copyright@2025 All Rights Reserved
