Дистрибуция электронных компонентов
GA10JT12-247
TRANS SJT 1200V 10A TO247AB
Номер компонента:
GA10JT12-247
Альтернативная модель:
STW12N120K5
Производитель:
GeneSiC Semiconductor
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
TRANS SJT 1200V 10A TO247AB
РОХС:
NO
GA10JT12-247 Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Рабочая Температура:
175°C (TJ)
Пакет/кейс:
TO-247-3
Технологии:
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
1200 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
170W (Tc)
Пакет устройств поставщика:
TO-247AB
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
10A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
140mOhm @ 10A
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.