Дистрибуция электронных компонентов
IXTT10N100D2
MOSFET N-CH 1000V 10A TO268
Номер компонента:
IXTT10N100D2
Альтернативная модель:
IXTT16N50D2,IXTT16N20D2
Производитель:
Littelfuse / IXYS RF
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 1000V 10A TO268
РОХС:
YES
IXTT10N100D2 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
1000 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
10A (Tc)
Особенность полевого транзистора:
Depletion Mode
Рассеиваемая мощность (макс.):
695W (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
5320 pF @ 25 V
Пакет/кейс:
TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Пакет устройств поставщика:
TO-268AA
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
1.5Ohm @ 5A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
200 nC @ 5 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.