Дистрибуция электронных компонентов
C2M0160120D
SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3
Номер компонента:
C2M0160120D
Альтернативная модель:
C2M0040120D,C2M0280120D,C2M0080120D,IXFH40N85X,20021221-00060T4LF,03540101ZXGY,C3D16065D,C3M0120065K,C3M0120065D,C2M0025120D,150060RS75000,RP-1212D,MMSZ5253C-E3-08,NTHL160N120SC1,C3M0040120D,MGJ2D121505SC,MGJ2D241505SC,MGJ2D051505SC,MGJ3T12150505MC-R7,MGJ2D151505SC,MGJ3T24150505MC-R7,MGJ3T05150505MC-R7,MGJ3T12150505MC-R13,MGJ3T24150505MC-R13,MGJ3T05150505MC-R13
Производитель:
Wolfspeed
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3
РОХС:
YES
C2M0160120D Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет/кейс:
TO-247-3
Пакет устройств поставщика:
TO-247-3
Рассеиваемая мощность (макс.):
125W (Tc)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
1200 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
20V
Технологии:
SiCFET (Silicon Carbide)
ВГС (Макс):
+25V, -10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
19A (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.5V @ 500µA
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
196mOhm @ 10A, 20V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
32.6 nC @ 20 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
527 pF @ 800 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:3324
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1
17.5
17.5
30
14.17
425.1
120
13.33
1599.6
510
12.08
6160.8
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.