Дистрибуция электронных компонентов
CSD85312Q3E
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Номер компонента:
CSD85312Q3E
Альтернативная модель:
TPS25830AQCWRHBRQ1,TPS25830QWRHBTQ1,ACP3225-501-2P-T000,DP83867ERGZT,LTC4365HDDB#TRMPBF,DF61Y-2P-2.2V(23),XZFBBZEBM2DGZ157W,TPS259470LRPWR,CDCI6214RGET,PCMF3HDMI2SZ,TPS1H100BQPWPRQ1,USB4200-03-A,SIT1566AI-JE-18E-32.768E,ABM8AIG-24.000MHZ-12-2Z-T3,INA226AQDGSRQ1
Производитель:
Texas Instruments
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
Описание:
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
РОХС:
YES
CSD85312Q3E Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет/кейс:
8-PowerVDFN
Напряжение стока к источнику (Vdss):
20V
Конфигурация:
2 N-Channel (Dual) Common Source
Vgs(th) (Макс) @ Id:
1.4V @ 250µA
Мощность - Макс.:
2.5W
Особенность полевого транзистора:
Logic Level Gate, 5V Drive
Пакет устройств поставщика:
8-VSON (3.3x3.3)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
39A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
12.4mOhm @ 10A, 8V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
15.2nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
2390pF @ 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:9403
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
2500
0.56
1400
5000
0.54
2700
12500
0.51
6375
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.