Дистрибуция электронных компонентов
TPH5900CNH,L1Q
MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
Номер компонента:
TPH5900CNH,L1Q
Альтернативная модель:
SQJ872EP-T1_GE3,BSZ900N15NS3GATMA1,TPS26601RHFT,SQSA70CENW-T1_GE3,TLP2372(TPL,E,TPH3300CNH,L1Q,LM43600PWPT,IPB060N15N5ATMA1,SIR510DP-T1-RE3,DMTH15H017SPS-13,TPH2900ENH,L1Q,NTMFS4C302NT1G,RB168MM200TFTR,7466205R,LM43601PWPT
Производитель:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
РОХС:
YES
TPH5900CNH,L1Q Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Пакет/кейс:
8-PowerVDFN
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
9A (Ta)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
150 V
Пакет устройств поставщика:
8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 200µA
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
59mOhm @ 4.5A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
7 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
1.6W (Ta), 42W (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
600 pF @ 75 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:15558
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
5000
0.41
2050
10000
0.41
4100
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.