Дистрибуция электронных компонентов
TPN2010FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Номер компонента:
TPN2010FNH,L1Q
Альтернативная модель:
TPN1110ENH  ,  L1Q  ,  MJD31CH-QJ  ,  SK320B  ,  SI3127DV-T1-GE3  ,  BSZ42DN25NS3GATMA1  ,  LT1210CR#PBF  ,  A3950SEUTR-T  ,  SIA456DJ-T1-GE3  ,  150060RS75000  ,  SI7922DN-T1-E3  ,  BSS316NH6327XTSA1  ,  PUMT1  ,  115  ,  BGM220PC22HNA2  ,  MMPQ6700  ,  FTSH-105-01-L-DV-K-P
Производитель:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
РОХС:
YES
TPN2010FNH,L1Q Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Пакет/кейс:
8-PowerVDFN
Напряжение стока к источнику (Vdss):
250 V
Пакет устройств поставщика:
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 200µA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
5.6A (Ta)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
7 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
198mOhm @ 2.8A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
600 pF @ 100 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
700mW (Ta), 39W (Tc)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:2555
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
5000
0.72
3600
10000
0.69
6900
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.