Дистрибуция электронных компонентов
TPN11006NL,LQ
MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Номер компонента:
TPN11006NL,LQ
Альтернативная модель:
CSD18543Q3A,DMN67D8L-7,DX07S016JA3R1500,UCC27511DBVR,MMICT3903-00-012,LMR23625CDDAR,BSS138,691322110003,NCP133AMXADJTCG,7V-19.200MDDJ-T,BSS138,TPS92200D1DDCR,691361100004,S558-5999-T7-F,MMBT3904-G
Производитель:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
РОХС:
YES
TPN11006NL,LQ Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
60 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Пакет/кейс:
8-PowerVDFN
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
17A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
23 nC @ 10 V
Пакет устройств поставщика:
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
2000 pF @ 30 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.5V @ 200µA
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:8423
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.36
1080
6000
0.34
2040
9000
0.33
2970
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.