Дистрибуция электронных компонентов
VS-GB75DA120UP
IGBT MODULE 1200V 658W SOT227
Номер компонента:
VS-GB75DA120UP
Альтернативная модель:
Производитель:
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > IGBTs > IGBT Modules >
Описание:
IGBT MODULE 1200V 658W SOT227
РОХС:
YES
VS-GB75DA120UP Спецификация
Тип монтажа:
Chassis Mount
Рабочая Температура:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.):
1200 V
Конфигурация:
Single
Вход:
Standard
Пакет/кейс:
SOT-227-4, miniBLOC
Пакет устройств поставщика:
SOT-227
НТЦ-термистор:
No
Ток-отсечка коллектора (макс.):
250 µA
Тип БТИЗ:
NPT
Мощность - Макс.:
658 W
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:
3.8V @ 15V, 75A
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.