Дистрибуция электронных компонентов
CSD23202W10T
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Номер компонента:
CSD23202W10T
Альтернативная модель:
CSD23202W10,CSD23202W10
Производитель:
Texas Instruments
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
РОХС:
YES
CSD23202W10T Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
P-Channel
Напряжение стока к источнику (Vdss):
12 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
1.5V, 4.5V
ВГС (Макс):
-6V
Рассеиваемая мощность (макс.):
1W (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
900mV @ 250µA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
2.2A (Ta)
Пакет устройств поставщика:
4-DSBGA (1x1)
Пакет/кейс:
4-UFBGA, DSBGA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
3.8 nC @ 4.5 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
53mOhm @ 500mA, 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
512 pF @ 6 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:17231
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
250
0.48
120
500
0.42
210
1250
0.42
525
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.