Дистрибуция электронных компонентов
CSD17579Q3AT
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
Номер компонента:
CSD17579Q3AT
Альтернативная модель:
CSD17579Q3A,CSD17579Q3A,RQ3E100BNTB,LT4293IDD#PBF,CSD17308Q3,RQ3E120BNTB,PMEG4010CEAX,A767MU226M2ALAE038,DMG1012T-7,DG2788ADN-T1-GE4,BSC320N20NS3GATMA1,218-2LPSTR,CMHZ5258B TR PBFREE,LT8309HS5#TRMPBF,SQ2310ES-T1_GE3,TPS3840DL31DBVRQ1
Производитель:
Texas Instruments
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
РОХС:
YES
CSD17579Q3AT Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет/кейс:
8-PowerVDFN
Напряжение стока к источнику (Vdss):
30 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
20A (Ta)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
15 nC @ 10 V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
1.9V @ 250µA
Пакет устройств поставщика:
8-VSONP (3x3.3)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
10.2mOhm @ 8A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
998 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
3.2W (Ta), 29W (Tc)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:6481
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
250
0.62
155
500
0.53
265
1250
0.53
662.5
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.