Дистрибуция электронных компонентов
RGTH00TS65GC11
IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247N
Номер компонента:
RGTH00TS65GC11
Альтернативная модель:
Производитель:
ROHM Semiconductor
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > IGBTs > Single IGBTs >
Описание:
IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247N
РОХС:
YES
RGTH00TS65GC11 Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Рабочая Температура:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип БТИЗ:
Trench Field Stop
Тип ввода:
Standard
Мощность - Макс.:
277 W
Пакет/кейс:
TO-247-3
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.):
650 V
Ток-коллекторный импульсный (Icm):
200 A
Ток-Коллектор (Ic) (Макс):
85 A
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 50A
Заряд от ворот:
94 nC
Td (вкл/выкл) при 25°C:
39ns/143ns
Условия испытания:
400V, 50A, 10Ohm, 15V
Пакет устройств поставщика:
TO-247N
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1644
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1
4.98
4.98
30
3.95
118.5
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.