Дистрибуция электронных компонентов
RGTH60TS65DGC11
IGBT TRNCH FIELD 650V 58A TO247N
Номер компонента:
RGTH60TS65DGC11
Альтернативная модель:
RGTH60TS65DGC13
Производитель:
ROHM Semiconductor
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > IGBTs > Single IGBTs >
Описание:
IGBT TRNCH FIELD 650V 58A TO247N
РОХС:
YES
RGTH60TS65DGC11 Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Рабочая Температура:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип БТИЗ:
Trench Field Stop
Тип ввода:
Standard
Пакет/кейс:
TO-247-3
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.):
650 V
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 30A
Пакет устройств поставщика:
TO-247N
Ток-коллекторный импульсный (Icm):
120 A
Условия испытания:
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Ток-Коллектор (Ic) (Макс):
58 A
Время обратного восстановления (trr):
58 ns
Мощность - Макс.:
194 W
Заряд от ворот:
58 nC
Td (вкл/выкл) при 25°C:
27ns/105ns
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:2046
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1
3.97
3.97
30
3.15
94.5
120
2.7
324
510
2.4
1224
1020
2.06
2101.2
2010
1.94
3899.4
5010
1.86
9318.6
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.