Дистрибуция электронных компонентов
RGTH60TS65GC11
IGBT TRNCH FIELD 650V 58A TO247N
Номер компонента:
RGTH60TS65GC11
Альтернативная модель:
Производитель:
ROHM Semiconductor
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > IGBTs > Single IGBTs >
Описание:
IGBT TRNCH FIELD 650V 58A TO247N
РОХС:
YES
RGTH60TS65GC11 Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Рабочая Температура:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип БТИЗ:
Trench Field Stop
Тип ввода:
Standard
Пакет/кейс:
TO-247-3
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.):
650 V
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 30A
Пакет устройств поставщика:
TO-247N
Ток-коллекторный импульсный (Icm):
120 A
Условия испытания:
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Ток-Коллектор (Ic) (Макс):
58 A
Заряд от ворот:
58 nC
Td (вкл/выкл) при 25°C:
27ns/105ns
Мощность - Макс.:
197 W
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1609
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1
3.91
3.91
30
3.09
92.7
120
2.65
318
510
2.35
1198.5
1020
2.01
2050.2
2010
1.9
3819
5010
1.83
9168.3
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.