Дистрибуция электронных компонентов
RGT30NS65DGTL
IGBT TRENCH FIELD 650V 30A LPDS
Номер компонента:
RGT30NS65DGTL
Альтернативная модель:
Производитель:
ROHM Semiconductor
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > IGBTs > Single IGBTs >
Описание:
IGBT TRENCH FIELD 650V 30A LPDS
РОХС:
YES
RGT30NS65DGTL Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип БТИЗ:
Trench Field Stop
Тип ввода:
Standard
Пакет/кейс:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.):
650 V
Пакет устройств поставщика:
LPDS
Ток-Коллектор (Ic) (Макс):
30 A
Ток-коллекторный импульсный (Icm):
45 A
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 15A
Заряд от ворот:
32 nC
Время обратного восстановления (trr):
55 ns
Условия испытания:
400V, 15A, 10Ohm, 15V
Td (вкл/выкл) при 25°C:
18ns/64ns
Мощность - Макс.:
133 W
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:2578
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1000
1.17
1170
2000
1.11
2220
5000
1.07
5350
10000
1.03
10300
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.