Дистрибуция электронных компонентов
RGT40NS65DGTL
IGBT TRENCH FIELD 650V 40A LPDS
Номер компонента:
RGT40NS65DGTL
Альтернативная модель:
RGT40NL65DGTL,1930420000,IKB20N60TATMA1,VS-60EPS08-M3,1607520000,PZU20B2,115
Производитель:
ROHM Semiconductor
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > IGBTs > Single IGBTs >
Описание:
IGBT TRENCH FIELD 650V 40A LPDS
РОХС:
YES
RGT40NS65DGTL Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип БТИЗ:
Trench Field Stop
Ток-Коллектор (Ic) (Макс):
40 A
Тип ввода:
Standard
Пакет/кейс:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ток-коллекторный импульсный (Icm):
60 A
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.):
650 V
Пакет устройств поставщика:
LPDS
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 20A
Условия испытания:
400V, 20A, 10Ohm, 15V
Время обратного восстановления (trr):
58 ns
Заряд от ворот:
40 nC
Td (вкл/выкл) при 25°C:
22ns/75ns
Мощность - Макс.:
161 W
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:8575
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1000
1.39
1390
2000
1.32
2640
5000
1.27
6350
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.