Дистрибуция электронных компонентов
HS8K11TB
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Номер компонента:
HS8K11TB
Альтернативная модель:
Производитель:
ROHM Semiconductor
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
РОХС:
YES
HS8K11TB Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150°C (TJ)
Пакет/кейс:
8-UDFN Exposed Pad
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Особенность полевого транзистора:
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss):
30V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.5V @ 1mA
Конфигурация:
2 N-Channel (Dual)
Мощность - Макс.:
2W
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
7A, 11A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
17.9mOhm @ 7A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
11.1nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
500pF @ 15V
Пакет устройств поставщика:
HSML3030L10
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:2972
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.25
750
6000
0.24
1440
9000
0.22
1980
30000
0.22
6600
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.