Дистрибуция электронных компонентов
SIHG33N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Номер компонента:
SIHG33N60EF-GE3
Альтернативная модель:
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
РОХС:
YES
SIHG33N60EF-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
ВГС (Макс):
±30V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 250µA
Напряжение стока к источнику (Vdss):
600 V
Пакет/кейс:
TO-247-3
Рассеиваемая мощность (макс.):
278W (Tc)
Пакет устройств поставщика:
TO-247AC
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
33A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
155 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
98mOhm @ 16.5A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
3454 pF @ 100 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:2098
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1
7.14
7.14
25
5.7
142.5
100
5.1
510
500
4.5
2250
1000
4.05
4050
2000
3.8
7600
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.