Дистрибуция электронных компонентов
TPWR8004PL,L1Q
MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Номер компонента:
TPWR8004PL,L1Q
Альтернативная модель:
TPWR7904PB  ,  L1XHQ  ,  LTC4365HTS8-1#TRPBF  ,  IAUC120N04S6N006ATMA1  ,  TPH1R204PL1  ,  LQ  ,  TPW2R508NH  ,  L1Q  ,  U.FL-R-SMT-1(60)  ,  TPHR7904PB  ,  L1XHQ  ,  LTC4365CTS8#TRPBF  ,  ACS711KEXLT-15AB-T  ,  TDM3885XUMA1  ,  ISL23315TFRUZ-T7A  ,  MIA-M10Q-00B  ,  TXU0104QPWRQ1  ,  BSC007N04LS6ATMA1  ,  SIDR638DP-T1-GE3
Производитель:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
РОХС:
YES
TPWR8004PL,L1Q Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
40 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Пакет/кейс:
8-PowerVDFN
Рабочая Температура:
175°C (TJ)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
150A (Tc)
Пакет устройств поставщика:
8-DSOP Advance
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
103 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
0.8mOhm @ 50A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
9600 pF @ 20 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
1W (Ta), 170W (Tc)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:6672
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
5000
1.46
7300
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.