Дистрибуция электронных компонентов
SSM6N56FE,LM
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
Номер компонента:
SSM6N56FE,LM
Альтернативная модель:
RB531SM-30T2R  ,  M1MA151KT1G  ,  SSM6L14FE(TE85L  ,  F)  ,  FDY302NZ  ,  SSM6N35AFE  ,  LF  ,  SSM3K345R  ,  LF  ,  SI2301CDS-T1-GE3  ,  BLM18EG221SN1D  ,  MT25QU512ABB8ESF-0SIT  ,  SSM3J331R  ,  LF  ,  SSM6L56FE  ,  LM  ,  VZ30C1T8219732L  ,  LM4040D41IDBZR  ,  EZA-EG2A50AX  ,  MAX40203AUK+T
Производитель:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
Описание:
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
РОХС:
YES
SSM6N56FE,LM Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150°C (TJ)
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация:
2 N-Channel (Dual)
Мощность - Макс.:
150mW
Пакет/кейс:
SOT-563, SOT-666
Пакет устройств поставщика:
ES6
Напряжение стока к источнику (Vdss):
20V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
1nC @ 4.5V
Особенность полевого транзистора:
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
800mA
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
235mOhm @ 800mA, 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
55pF @ 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:80192
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
4000
0.09
360
8000
0.09
720
12000
0.08
960
28000
0.07
1960
100000
0.06
6000
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.