Дистрибуция электронных компонентов
SQM100N10-10_GE3
MOSFET N-CH 100V 100A TO263
Номер компонента:
SQM100N10-10_GE3
Альтернативная модель:
SQM100P10-19L_GE3,SQM40031EL_GE3,SQJQ112E-T1_GE3,PJ-082BH,SQM47N10-24L_GE3,SQR70090ELR_GE3,ZXTN2018FTA,IXFA130N10T2,IPB120N10S405ATMA1,SQM70060EL_GE3,SQS411ENW-T1_GE3,GG0603052R542P,2N3501UB,SUM90N10-8M2P-E3,ZXTP2027FTA
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 100V 100A TO263
РОХС:
YES
SQM100N10-10_GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Оценка:
Automotive
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
100 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
100A (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.5V @ 250µA
Рабочая Температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Квалификация:
AEC-Q101
Пакет устройств поставщика:
TO-263 (D2PAK)
Пакет/кейс:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Рассеиваемая мощность (макс.):
375W (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
10.5mOhm @ 30A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
185 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
8050 pF @ 25 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:3301
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
800
1.99
1592
1600
1.71
2736
2400
1.61
3864
5600
1.54
8624
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.