Дистрибуция электронных компонентов
SQM120P04-04L_GE3
MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Номер компонента:
SQM120P04-04L_GE3
Альтернативная модель:
DMG1012UW-7,SMMBTA42LT1G,IPD50N08S413ATMA1,DMP1005UFDF-7,DMN67D8LW-13,PDSE1-S5-S5-S,LTC7804HMSE#PBF,SI4435FDY-T1-GE3,CYPD4226-40LQXIT,PDSE1-S5-S3-S,NVTFS015N04CTAG,SQD90P04-9M4L_GE3,TDP142IRNQT,MPQ4423AGQ-AEC1-Z,IPB180P04P403ATMA2
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET P-CH 40V 120A TO263
РОХС:
YES
SQM120P04-04L_GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Оценка:
Automotive
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
40 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.5V @ 250µA
Рабочая Температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
P-Channel
Квалификация:
AEC-Q101
Пакет устройств поставщика:
TO-263 (D2PAK)
Пакет/кейс:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Рассеиваемая мощность (макс.):
375W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
330 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
4mOhm @ 30A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
13980 pF @ 20 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:2818
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
800
2.32
1856
1600
1.99
3184
2400
1.87
4488
5600
1.79
10024
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.