Дистрибуция электронных компонентов
TPW4R008NH,L1Q
MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
Номер компонента:
TPW4R008NH,L1Q
Альтернативная модель:
DMT10H010LPS-13,FDMC4435BZ,CZ3A05,TPH4R008NH,L1Q,LTC4311CSC6#TRPBF,TK3R1A04PL,S4X,LP5907MFX-2.5/NOPB,TK20N60W5,S1VF,TK72A12N1,S4X,TK11A65W,S5X
Производитель:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
РОХС:
YES
TPW4R008NH,L1Q Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Пакет/кейс:
8-PowerVDFN
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
4mOhm @ 50A, 10V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
80 V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
59 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
800mW (Ta), 142W (Tc)
Пакет устройств поставщика:
8-DSOP Advance
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
116A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
5300 pF @ 40 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
5000
1.24
6200
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.