Дистрибуция электронных компонентов
TPW4R50ANH,L1Q
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
Номер компонента:
TPW4R50ANH,L1Q
Альтернативная модель:
BSC037N08NS5ATMA1  ,  SM72295MAX/NOPB  ,  TPW1R306PL  ,  L1Q  ,  BSC040N08NS5ATMA1  ,  TPH4R50ANH1  ,  LQ  ,  IPT015N10N5ATMA1  ,  XPW4R10ANB  ,  L1XHQ  ,  TPH3R70APL  ,  L1Q  ,  LT3753MPFE#PBF  ,  BSC070N10LS5ATMA1  ,  7461099  ,  LT8650SIV#PBF  ,  SSM6N815R  ,  LF  ,  NVMFWS3D6N10MCLT1G  ,  IRS2184SPBF
Производитель:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
РОХС:
YES
TPW4R50ANH,L1Q Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
100 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Пакет/кейс:
8-PowerVDFN
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
58 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
800mW (Ta), 142W (Tc)
Пакет устройств поставщика:
8-DSOP Advance
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
92A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
5200 pF @ 50 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
4.5mOhm @ 46A, 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:10351
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
5000
1.24
6200
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.