Дистрибуция электронных компонентов
SCT20N120
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
Номер компонента:
SCT20N120
Альтернативная модель:
SCT20N120AG,SCT50N120,SCT3120ALGC11,SCT3160KLGC11,SCT30N120,C3M0160120D,SCTWA60N120G2-4,IGLD60R070D1AUMA3,LSIC1MO120E0080,SCT20N120H,SCT4062KEC11,LSIC1MO120E0160,SCTWA30N120,MSC750SMA170B,IMW120R350M1HXKSA1
Производитель:
STMicroelectronics
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
РОХС:
YES
SCT20N120 Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Пакет/кейс:
TO-247-3
Напряжение стока к источнику (Vdss):
1200 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
20V
Технологии:
SiCFET (Silicon Carbide)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
20A (Tc)
ВГС (Макс):
+25V, -10V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
3.5V @ 1mA
Рабочая Температура:
-55°C ~ 200°C (TJ)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
290mOhm @ 10A, 20V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
45 nC @ 20 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
650 pF @ 400 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
175W (Tc)
Пакет устройств поставщика:
HiP247™
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:2099
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1
18.07
18.07
30
14.63
438.9
120
13.76
1651.2
510
12.47
6359.7
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.