Дистрибуция электронных компонентов
SIHB12N50E-GE3
MOSFET N-CH 500V 10.5A D2PAK
Номер компонента:
SIHB12N50E-GE3
Альтернативная модель:
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 500V 10.5A D2PAK
РОХС:
YES
SIHB12N50E-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
ВГС (Макс):
±30V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 250µA
Пакет устройств поставщика:
TO-263 (D2PAK)
Пакет/кейс:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
50 nC @ 10 V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
500 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
114W (Tc)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
10.5A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
380mOhm @ 6A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
886 pF @ 100 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1
2.52
2.52
10
2.1
21
100
1.67
167
1000
1.2
1200
5000
1.1
5500
10000
1.06
10600
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.