Дистрибуция электронных компонентов
NVE4153NT1G
MOSFET N-CH 20V 915MA SC89
Номер компонента:
NVE4153NT1G
Альтернативная модель:
DMN10H170SK3Q-13,2108614-5,SESD0402X1UN-0020-090,NSR0620P2T5G,TPS389030DSER,BSS64AHZGT116,RE1C002UNTCL,DMN6069SFGQ-13,DMN3404L-7,CX90M-16P,NTE4153NT1G,NTJS3151PT1G,LM74700QDBVTQ1,RB751V40T1G,MP3422GG-Z
Производитель:
Sanyo Semiconductor/onsemi
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 20V 915MA SC89
РОХС:
YES
NVE4153NT1G Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Оценка:
Automotive
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Квалификация:
AEC-Q101
Напряжение стока к источнику (Vdss):
20 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
1.5V, 4.5V
Пакет/кейс:
SC-89, SOT-490
ВГС (Макс):
±6V
Пакет устройств поставщика:
SC-89-3
Vgs(th) (Макс) @ Id:
1.1V @ 250µA
Рассеиваемая мощность (макс.):
300mW (Tj)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
915mA (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
230mOhm @ 600mA, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
1.82 nC @ 4.5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
110 pF @ 16 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:13551
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.18
540
6000
0.18
1080
9000
0.15
1350
30000
0.15
4500
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.