Дистрибуция электронных компонентов
IXTH1N200P3
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247
Номер компонента:
IXTH1N200P3
Альтернативная модель:
STW3N170,IXTT02N450HV,IXTH1N250,IXTH1N200P3HV,NTBG1000N170M1,AQY210S,IXFP3N120,APV1121S,APT1608EC,FBMH4532HM681-T,BAV199W-7
Производитель:
Littelfuse / IXYS RF
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247
РОХС:
YES
IXTH1N200P3 Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 250µA
Пакет/кейс:
TO-247-3
Рассеиваемая мощность (макс.):
125W (Tc)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
1A (Tc)
Пакет устройств поставщика:
TO-247 (IXTH)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
23.5 nC @ 10 V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
2000 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
40Ohm @ 500mA, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
646 pF @ 25 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:2274
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1
9.31
9.31
30
7.44
223.2
120
6.64
796.8
510
5.86
2988.6
1020
5.28
5385.6
2010
4.95
9949.5
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.