A2U8M12W3-FC

零件编号:
A2U8M12W3-FC
制造商:
STMicroelectronics
其它零件编号:
-
描述:
MOSFET 4N-CH 750V/1.2KV 180A
规格书:
PDF

产品属性

零件状态 Active
安装类型 Chassis Mount
供应商器件封装 -
场效应晶体管特性 -
等级 -
认证 -
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
封装 / 外壳 Module
最大功率 -
技术 Silicon Carbide (SiC)
配置 4 N-Channel (Three Level Inverter)
漏极至源极电压 (Vdss) 750V, 1.2kV
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 180A, 140A
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 8mOhm @ 100A, 18V, 12.5mOhm @ 100A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 4.2V @ 2mA, 4V @ 2mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 288nC @ 18V, 304nC @ 18V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 7660pF @ 400V, 7370pF @ 800V